Micron Technology, Inc. и Intel сегодня объявили о доступности технологии 3D NAND, которая позволяет создавать флеш-память с самым высоким в мире уровнем плотности размещения ячеек памяти. Флеш-память – это способ хранения данных, который используется в самых легких ноутбуках, самых быстрых центрах обработки данных и практически в каждом сотовом телефоне, планшете и мобильном устройстве.
Новая технология 3D NAND, совместно разработанная Intel и Micron, с высочайшим уровнем точности размещает слои ячеек для создания решений хранения данных, которые будут иметь в 3 раза большую емкость1 по сравнению с устройствами на базе технологии NAND. Это позволяет хранить больше данных при более компактных размерах, что дает возможность реализовать преимущества снижения расходов и энергопотребления и повышения производительности как для потребительских мобильных устройств, так и ресурсоемких корпоративных сред.
Планарная флеш-память NAND практически уже достигла максимальных возможностей для масштабирования, что создает значительные сложности для отрасли производства памяти. Технология 3D NAND позволит флеш-продукции развиваться в соответствии с законом Мура, что даст возможность на протяжении длительного времени увеличивать ее скорость работы, сокращать расходы и более широкого использовать флеш-память.
«Сотрудничество Micron и Intel позволило создать ведущую в отрасли твердотельную технологию хранения данных, которая обеспечивает высокую плотность размещения ячеек, высокую производительность и эффективность и значительно превосходит по рабочим характеристикам флеш-память, – сказал Брайан Ширли (Brian Shirley), вице-президент по технологиям памяти компании Micron Technology*. – Технология 3D NAND имеет большой потенциал для того, чтобы коренным образом изменить рынок памяти».
«Технологическое сотрудничество Intel и Micron отражает наше стремление предложить на рынке передовые технологии энергонезависимой памяти, – сказал Роб Крук (Rob Crooke), старший вице-президент и руководитель подразделения Non-Volatile Memory Solutions Group корпорации Intel. – Преимущества более высокой плотности и экономии, обеспечиваемые нашей новой технологией 3D NAND, ускорят внедрение твердотельных решений для хранения данных».
Инновационная архитектура технологического процесса
Одним из наиболее важных аспектов этой технологии является разработка принципиально новых ячеек памяти. Intel и Micron выбрали ячейки с плавающим затвором, универсальную технологию, которая на протяжении многих лет использовалась при массовом производстве планарной флеш-памяти. Этот проект стал первым примером использования ячеек с плавающим затвором для трехмерной памяти на базе технологии 3D NAND. Кроме того, такой подход обеспечил более высокую производительность, качество и надежность.
Детальнее...
