Intel и Micron Technology объявили о переходе на нормы 20-нм технологического процесса при производстве NAND-памяти. Новый процесс позволяет выпускать чипы с многоуровневой структурой ячеек (MLC) емкостью 8 ГБайт в виде миниатюрных модулей, позволяющих хранить огромное количество музыкальных треков, видеороликов, электронных книг и других данных в смартфонах и планшетах. Эти чипы будут применяться также в твердотельных накопителях (SSD).
«Тесная работа с заказчиками - вот что придает продуктам Micron особую ценность. Работая в этом направлении, мы совершенствуем наши чипы, открывая все новые и новые перспективы на рынке устройств хранения данных, - говорит Глен Хоук (Glen Hawk), вице-президент Micron NAND Solutions Group. - Мы вновь показали способность к новаторству и перспективы роста - на этот раз шагнув к 20-нм технологии NAND-памяти, предложив нашим клиентам более дешевые и эффективные решения».
Постоянное развитие цифровой экосистемы и непрерывное расширение функционала мобильных цифровых устройств требуют наличия накопителей все более высокой емкости. Новые микросхемы емкостью 8 ГБайт, выполненные на базе 20-нм технологии, имеют площадь всего 118 кв. мм, занимая на 30-40% меньше пространства на печатной плате (зависит от типа корпуса) по сравнению с чипами емкостью 8 ГБайт, выполненными на базе 25-нм технологии. Уменьшение размеров позволяет улучшить свойства конечного продукта, например, установить батарею большей емкости, больший экран или добавить еще один чип для расширения функционала.
«Наша цель - предоставить недорогой доступ к миру информации, - добавил Том Рэмпоун (Tom Rampone), вице-президент, генеральный директор Intel Non-Volatile Memory Solutions Group. - Достижения в сфере NAND-памяти дают Intel возможность предлагать клиентам качественные и эффективные решения. Совместное предприятие Intel и Micron иллюстрирует, каким должен быть бизнес, - ведь мы год за годом продолжаем возглавлять технологическую гонку, быстро переводя все наши фабрики от одной технологической нормы к следующей».
Новые чипы, выпускаемые IM Flash Technologies (IMFT), совместным предприятием Intel и Micron, являются настоящим прорывом в области проектирования и технологий производства NAND-памяти и укрепляют лидерство партнеров в данной сфере. Уменьшение техпроцесса является эффективным способом расширения производственной мощности в пересчете на единицу объема информации - данный шаг позволил примерно на 50% увеличить мощность производства в гигабайтах по сравнению с технологией предыдущего поколения. При этом 20-нм процесс сохраняет прежний уровень скорости работы флэш-памяти и обеспечивает столь же длительный срок эксплуатации.
В настоящее время ведутся поставки тестовых образцов 20-нм чипов памяти на 8 ГБайт. Серийный выпуск планируется начать во второй половине 2011 г. В ближайшее время Intel и Micron планируют представить образцы модулей емкостью 16 ГБайт, которые позволят создавать твердотельные накопители емкостью 128 Гбайт размерами меньше, чем почтовая марка США.
